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Plasma這么好，你卻只會(huì)用它來(lái)清洗！
來(lái)源：科學(xué)10分鐘 時(shí)間：2022-05-23 12:08:04 瀏覽：8025次

等離子體是一種由自由電子和帶電離子為主要成分的物質(zhì)形態(tài)，常被視為是物質(zhì)的第四態(tài)。它是部分電離的氣體, 由電子、離子、自由基、中性粒子及光子組成。1928年美國(guó)科學(xué)家歐文·朗繆爾和湯克斯（Tonks）首次將“等離子體”（plasma）一詞引入物理學(xué)，用來(lái)描述氣體放電管里的物質(zhì)形態(tài)。

等離子體本身是含有物理和化學(xué)活潑粒子的電中性混合物。這些活潑自由基粒子能夠做化學(xué)功, 而帶電原子和分子通過(guò)濺射能夠做物理功。因此, 通過(guò)物理轟擊和化學(xué)反應(yīng), 等離子工藝能夠完成各種材料表面改性, 常常用來(lái)對(duì)材料進(jìn)行表面活化、污染物去除、刻蝕等功效。

但是，你知道嗎，由于等離子體的高活性，它現(xiàn)在還常常用來(lái)制備新材料！在本篇文章中，我們將向大家介紹等離子體的基本知識(shí)，同時(shí)向大家介紹基于不同等離子源（O，N，Ar，C等）的等離子技術(shù)的最新應(yīng)用（表面修飾、沉積、轉(zhuǎn)化反應(yīng)等）[1]。

     

Plasma基本知識(shí)

Plasma作為一種包含帶電粒子和不帶電粒子的準(zhǔn)中性氣體，其表現(xiàn)出了一種集群行為。它有兩個(gè)主要的特點(diǎn)：（1）準(zhǔn)中性，這意味著等離子體中電子的密度約等于離子的密度；（2）集群行為，等離子體中物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)不僅受微環(huán)境（如碰撞）的影響還與微狀態(tài)（電場(chǎng)和磁場(chǎng)）有關(guān)。

得到等離子體的方法通常有兩種：（1）熱激活，物質(zhì)通過(guò)吸收大量的熱變成等離子體；（2）電激活，物質(zhì)通過(guò)在電場(chǎng)中發(fā)生連續(xù)的碰撞和震蕩而形成等離子體。


 

圖1 熱產(chǎn)生的等離子體（熱等離子體）和電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體（冷等離子體）


電子溫度（Te）和離子溫度（Ti）是Plasma的兩個(gè)重要參數(shù)。電子溫度反應(yīng)的是電子的熱運(yùn)動(dòng)，離子溫度反應(yīng)的是重顆粒、離子和中性物質(zhì)的熱運(yùn)動(dòng)。對(duì)于熱等離子體，Te ≈ Ti；對(duì)于非熱等離子體，Te >> Ti。

對(duì)于熱等離子體，電子和離子溫度都很高，因此它不僅具有高的反應(yīng)性，還具有強(qiáng)烈的熱效應(yīng)，足以融化/氣化大部分材料，如鎢。鑒于此，熱等離子體常用來(lái)融化金屬、煅燒陶瓷、蒸發(fā)材料。不過(guò)，這種熱效應(yīng)不利于制備納米結(jié)構(gòu)的材料。

作為對(duì)比，冷等離子體沒有熱效應(yīng)，不過(guò)仍然具有高的化學(xué)活性。因此，它適于對(duì)材料進(jìn)行處理，尤其是對(duì)那些熱敏感的材料。過(guò)去一段時(shí)間，眾多學(xué)者在冷等離子體制備納米材料方面進(jìn)行的廣泛的研究，取得了很多有意思的結(jié)果。本文將在后面進(jìn)行詳細(xì)舉例介紹。

圖2展示了產(chǎn)生冷等離子的三種常見的設(shè)備類型，它們分別是：（1）介電阻擋放電等離子體；（2）微波等離子體；（3）射頻等離子體。


 圖2 常見的三種冷等離子體設(shè)備


Plasma的應(yīng)用

與傳統(tǒng)的化學(xué)反應(yīng)媒介相比，冷等離子體在制備/改性材料方面表現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。這主要源于其兩大特性：高化學(xué)活性和低熱效應(yīng)。根據(jù)反應(yīng)結(jié)果等離子體反應(yīng)主要可以分為三類：（1）刻蝕；（2）沉積；（3）改性。


2.1 基于Ar-Plasma的刻蝕

基于Ar-Plasma的清洗/刻蝕功能可能是絕大部分人了解最多的。由于Ar的化學(xué)惰性，Ar-Plasma（Ar+，Ar*，e-）主要表現(xiàn)為強(qiáng)的刻蝕效應(yīng)，無(wú)法在目標(biāo)材料中形成摻雜?？涛g反應(yīng)可以認(rèn)為是一個(gè)物理過(guò)程，在處理時(shí)，等離子體將所處理材料的原子/分子移除或重新排列。盡管刻蝕是一個(gè)物理過(guò)程，Ar-Plasma處理仍然會(huì)通過(guò)引入缺陷或空位而改變材料的表面化學(xué)狀態(tài)。

在Ar-Plasma處理后，材料表面會(huì)形成很多懸鍵，在暴露于空氣中時(shí)，這些懸鍵會(huì)與氧反應(yīng)形成含氧官能團(tuán)。因此，碳材料在經(jīng)過(guò)Ar-Plasma處理后會(huì)明顯改善親水性。

雜原子摻雜的石墨烯作為一類無(wú)金屬電催化劑受到了很多的關(guān)注。然而，它的電化學(xué)性能并不令人滿意?；诖?，Tian ye等學(xué)者提出可以利用Ar-Plasma對(duì)雜原子摻雜的石墨烯進(jìn)行處理，從而得到更多的拓?fù)淙毕菀云诟纳撇牧系碾姶呋阅埽▓D3）[2]。

從圖4a的XRD譜圖可以看到，Ar-Plasma處理后，硫摻雜的石墨（SG）烯結(jié)晶度降低了。圖4b的Raman光譜也證實(shí)，Ar-Plasma處理的SG（SG-P）具有更高的ID/IG，表明具有更豐富的缺陷位點(diǎn)。更多的拓?fù)淙毕菀馕吨嗟幕钚晕稽c(diǎn)，因此，Ar-Plasma處理的SG表現(xiàn)出了更優(yōu)異的催化性能（圖4c, d）。


 

圖3 Ar-Plasma處理的硫摻雜的石墨烯（SG-P）

 

圖4 Ar-Plasma處理前后硫摻雜的石墨烯的XRD、拉曼光譜和電催化性能


2.2 基于C-Plasma的沉積反應(yīng)

C-Plasma通常產(chǎn)生于氣態(tài)或液態(tài)碳源中，如甲烷和乙醇等。它的一個(gè)主要應(yīng)用是制備碳基材料，如碳納米管（CNTs）、水平生長(zhǎng)的石墨烯（HG）和垂直生長(zhǎng)的石墨烯（VG）等。由于其獨(dú)特的還原特性，C-Plasma還可以用來(lái)對(duì)金屬基納米材料進(jìn)行改性（還原/碳化）。

碳化鎢是一種非常有潛力的析氫電催化劑，如何制備具有高活性位點(diǎn)的碳化鎢一直是研究的熱點(diǎn)?；诖?，中山大學(xué)的Wang chenxin團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種Plasma輔助的滲碳方法合成了具有多孔結(jié)構(gòu)的碳化鎢納米線[3]。

作者首先制備了碳布負(fù)載的氧化鎢納米線（WOx NWs/CC），隨后將其進(jìn)行C-Plasma處理將其轉(zhuǎn)換成了碳化鎢納米線（圖5）。由于C-Plasma同時(shí)具有刻蝕效應(yīng)，制備的碳化鎢納米線還呈現(xiàn)出獨(dú)特的多孔結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測(cè)試表明，通過(guò)C-Plasma處理制備的碳化鎢材料表現(xiàn)出了非常優(yōu)異的電催化性能（圖6），起始電位僅有39 mV，過(guò)電勢(shì)η10也只有118 mV，塔菲爾斜率為56 mV dec-1。


 

圖5 碳布負(fù)載的WOx納米線（WOx NWs/CC）在C-Plasma后變成WCx（WCx NWs/CC）

 

圖6 四種不同材料的電催化性能


2.3 基于H、O、N、S、P-Plasma的改性反應(yīng)

H-Plasma通常是基于H2源來(lái)產(chǎn)生的。它可以與C-Plasma結(jié)合在一起使用來(lái)沉積石墨碳。H-Plasma另外一個(gè)常見的應(yīng)用就是還原氧化物。相比于采用H2的熱還原，H-Plasma具有如下優(yōu)勢(shì)：（1）室溫下具有高還原性；（2）還原速度快；（3）低破壞性。

氧氣等離子體（O-Plasma）的應(yīng)用也很廣泛，通常用于對(duì)碳基材料和金屬基材料進(jìn)行處理。O-Plasma可以在材料表面引入極性基團(tuán)，從而改善材料的表面潤(rùn)濕性。需要注意的是，持續(xù)進(jìn)行O-Plasma也會(huì)產(chǎn)生COx氣體，從而對(duì)碳材料產(chǎn)生刻蝕作用。因此，O-Plasma也可以去除材料表面的碳污染物。O-Plasma還可以對(duì)金屬基復(fù)合物起到摻雜作用，如形成氧摻雜的金屬硫化物。此外，O-Plasma還可以用來(lái)氧化金屬基材料。

對(duì)于N-Plasma而言，常用的含氮?dú)庠赐ǔＪ荖H3和N2。由于氮?dú)庵蠳≡N的鍵能遠(yuǎn)大于氨氣中的N-H鍵，因此N2 Plasma需要更高的能量。不過(guò)，NH3 Plasma存在一定的毒性，而且成本更高，因此N2 Plasma的應(yīng)用更為廣泛。N-Plasma的應(yīng)用主要有兩點(diǎn)：（1）氮摻雜；（2）氮化。

南陽(yáng)理工大學(xué)的Ouyang bo等學(xué)者就利用N2 Plasma對(duì)商用Ni泡沫進(jìn)行了處理，從而得到了珊瑚狀的Ni3N[4]。商用的Ni泡沫擁有著光滑的表面，在Plasma環(huán)境下其表面會(huì)發(fā)生氮化，由于Ni和Ni3N晶格的不匹配，材料表面會(huì)產(chǎn)生空位并演變成納米孔從而最終形成珊瑚狀的Ni3N（圖7）。作者將這個(gè)材料用來(lái)儲(chǔ)鋰，發(fā)現(xiàn)它表現(xiàn)出了相當(dāng)好的倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性（圖8）。


 

圖7 石墨烯量子點(diǎn)包覆的Ni3N（GQD@hNi3N）制備流程


 

圖8 Ni3N和GQD@hNi3N的材料表征和電化學(xué)性能


在S-Plasma中，H2S是最典型的氣源，常常用于硫摻雜和硫化反應(yīng)。在Plasma環(huán)境中，H2S會(huì)變成S*自由基和S+、S-離子，因而即使在室溫下也具有很高的活性。需要注意的是，H相關(guān)的物種也會(huì)相應(yīng)的產(chǎn)生，因此H2S-Plasma也具有還原性。

與其它硫源相比，H2S的可控性最好，但不可否認(rèn)的是，它具有明顯的環(huán)境毒性，因此H2S-Plasma的研究并不多。對(duì)于S-Plasma而言，亟需開發(fā)出更加友好的S源。

與S-Plasma類似，PH3是P-Plasma最常用的氣源。P-Plasma的出現(xiàn)很晚，近些年才逐漸開始。它主要用來(lái)進(jìn)行P摻雜和磷化處理。需要特別注意的是，PH3是一個(gè)非常危險(xiǎn)且對(duì)環(huán)境有害的氣體，因此也亟需開發(fā)環(huán)境友好且安全的氣源。


總結(jié)

可以說(shuō)，除了最常見的清潔和刻蝕功能，Plasma憑借著快速、高效和環(huán)境友好的特點(diǎn)在材料合成與改性方面也具有獨(dú)特的應(yīng)用。尤其是結(jié)合各種不同的氣源所產(chǎn)生的不同類型的等離子體，它們使Plasma展現(xiàn)出了各種神奇的功用。不過(guò)，Plasma在材料制備與改性方面的應(yīng)用仍然處在初期階段，更多可能等著大家一起來(lái)開發(fā)。


參考文獻(xiàn)：

[1] B. Ouyang, Y. Zhang, X. Xia, R.S. Rawa, H.J. Fan, Materials Today Nano, 2018, 3, 28-47.

[2] Bowen Ren, Dongqi Li, Qiuyan Jin, Hao Cui, Chengxin Wang, J. Mater. Chem. A, 2017, 5, 13196.

[3] Ye Tian, Zhen Wei, Xuejun Wang, Shuo Peng, Xiao Zhang b, Wu-ming Liu, International Journal of Hydrogen Energy, 2017, 42, 4184-4192.

[4] Bo Ouyang, Yongqi Zhang, Zheng Zhang, Hong Jin Fan, and Rajdeep Singh Rawat, Small, 2017, 13, 1604265.



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